Cлайд 1
СВОЙСТВА ДЕФЕКТОВ И ИХ АНСАМБЛЕЙ В КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕДАХ Радиационная физика твердого телаCлайд 2
Содержание Раздел 1 Виды отдельных элементарных дефектов и их свойства. Дефекты в простых веществах 1.1.Классификация дефектов простых веществ 1.1.1.Междоузлие 1.1.2.Вакансии в ковалентных соединениях 1.1.3. Характеристики точечных дефектов 1.1.4. Междоузлия в простых веществах и их характеристики 1.1.5. Дефекты упаковки 1.1.6. Неупорядоченные сплавы. Примесные дефекты 1.1.7. Упорядоченные сплавы. Типы решеток с упорядочением 1.2.Равновесные и неравновесные дефекты 1.2.1.Равновесная концентрация точечных дефектов в простых веществах 1.3. Дефекты упорядочивающихся сплавов 1.3.1.Метрика дальнего порядка в упорядочивающихся сплавах 1.3.2.Метрика ближнего порядка в упорядочивающихся сплавах. Связь дальнего порядка и среднего значения ближнего порядка в упорядочивающихся сплавах 1.3.3.Температурная зависимость концентрация равновесных дефектов замещения в упорядочивающихся сплавах 1.3.4. Температурная зависимость концентрация равновесных вакансий в упорядочивающихся сплавах
Cлайд 3
Содержание Раздел 2. Описание дефектов кристаллической структуры в рамках теории упругости 2.1. Основные положения механики сплошной среды 2.1.1. Определения 2.1.2. Закон Гука 2.1.3. Закон Гука в обобщенном виде 2.1.4.Общий вид уравнений в абсолютных смещениях 2.2. Смещение атомов в кристаллической решетке с точечными дефектами. Изменение объема 2.3. Поведение дефекта во внешнем поле смещения 2.4. Плотность внутренних сил, эквивалентных центру дилатации 2.5. Взаимодействие дефектов с внешним упругим полем 2.6. Упругое взаимодействие точечных дефектов 2.7. Непрерывное распределение точечных дефектов в упругом поле 2.8. Течение кристалла. Ползучесть 2.9. Кинетика пор в кристалле 2.10. Неустойчивость однородного распределения точечных дефектов 2.11. Дислокации 2.12. Пластическая деформация кристаллов 2.13. Одномерная модель дислокации – модель Френкеля–Конторовой
Cлайд 4
Содержание Раздел 3. Радиационные дефекты 3.1. Методы СОЗДАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ 3.1.1. Облучение в реакторе 3.1.2. Облучение на ускорителях тяжелых ионов 3.1.3. Облучение в высоковольтном электронном микроскопе 3.1.4. Основные преимущества и недостатки экспрессивных методов радиационного испытания 3.2. Первичные процессы взаимодействия частиц и излучений с твердым телом 3.2.1. Общие представления о процессах взаимодействия частиц с твердым телом 3.2.2. Взаимодействие нейтронов с веществом 3.2.3. Взаимодействие ускоренных ионов с веществом 3.2.4. Распределение по глубине проникновения внедренных ионов и дефектов, созданных ионами 3.2.5. Взаимодействие электронов с веществом 3.2.6. Взаимодействие - квантов с веществом 3.3. Основные условия воспроизводимости явлений реакторного повреждения при облучении на ускорителе
Cлайд 5
Содержание Раздел 4. Теоретическое сравнение структуры случайных полей радиационных дефектов, образующихся при облучении быстрыми частицами в пленочных образцах 4.1. Каскад атомных столкновений. Индивидуальные характеристики 4.2. Случайное поле дефектов. Статистика повреждений 4.3. Модель разреженных каскадов 4.4. Модель плотных каскадов 4.5. Параметры имитации 4.6. Имитационные соотношения для модельных спектров ПВА 4.7. Методика определения временного ресурса сверхпроводящих соединений 4.8. Расчет характеристик поля повреждений при облучении тонких пленок ионами и нейтронами со спектром, близким к реальному спектру ТЯР
Cлайд 6
Введение «Физика реального твердого тела» изучает физические явления и процессы, обусловленные или возникающие при высоком содержании дефектов в твердом теле, пытается выработать предсказательные теории, определяющие характеристики твердого тела. Все области применения и «вынужденного» использования твердого тела, так или иначе, определяются дефектами структуры. Простейшие примеры: проводимость идеального твердого тела равна нулю; критический ток в сверхпроводниках также равен нулю в отсутствии пиннинга системы вихрей на дефектах структуры. Важным направлением является контролируемое введение в матрицу примесей и дефектов, а также радиационно-стимулированное изменение структуры. Начало интенсивного развития этого направления соответствует появлению полупроводниковых приборов. Это направление можно назвать «Физической технологией» поскольку конструирование и создание новых приборов и инструментария исследователей определяется разработкой детальной физической картины процессов, интерпретации измеряемых величин. Естественное уменьшение размеров изучаемых объектов и новые измерительные возможности привели к появлению нового направления «Наносистемы». Контролируемое введение в матрицу примесей и дефектов представляет и физический интерес для анализа применимости тех или иных представлений физики конденсированных сред. Например, для анализа механизма сверхпроводимости в соединениях со структурой А15, ВТСП.
Cлайд 7
Ряд проблемных задач физики конденсированных систем имеет фундаментальный характер Предсказание механических свойств реальных твердых тел, в том числе в интенсивных радиационных полях; Электрические свойства и явления в конденсированных системах с высоким содержанием дефектов; Механизмы сверхпроводимости, в том числе – высокотемпературной, улучшение критических параметров сверхпроводников; Электронные и фотонные свойства органических полупроводников и кристаллов
Cлайд 8
Cлайд 9
Классификация дефектов простых веществ. Определение: Любые нарушения или искажения в регулярности расположения атомов кристалла считают дефектом кристаллической решетки. Различают следующие виды отдельных дефектов: Тепловое движение атомов Междоузельные атомы и вакансии Примесные атомы Граница кристалла Поликристаллы Дислокации Статические смещения решетки вблизи дефекта
Cлайд 10
1.Тепловое движение атомов отклонение атомов от положения равновесия; это термодинамически-равновесный вид дефекта, имеющий динамический характер.
Cлайд 11
2.Междоузельные атомы и вакансии. Эти дефекты имеют тенденцию быть равновесными. Характерное время релаксации к равновесному состоянию может быть достаточно большим. Действительно, процесс диффузии дефектов, определяющий их распределение в твердом теле, является термоактивируемым процессом, поэтому при недостаточно больших температурах часто встречаются неравновесные состояния систем этих дефектов. Значительным отличием систем точечных дефектов является наличие их взаимодействия между собой (через атомы матрицы), что приводит, в частности, к образованию их комплексов (ансамблей), конденсата в матрице, т.е. равновесное состояние системы точечных дефектов в большинстве случаев является неоднородным в пространстве (например, вакансии - ансамбль вакансий – пора).
Cлайд 12
3. Атомы примесей Примеси, даже при малой концентрации, могут существенно влиять на свойства кристалла, например, они вносят заметный вклад в проводимость полупроводников Плотность атомов в конденсированных системах 1022 - 1023 атомов/см3, концентрация дефектов в зависимости от предыстории получения образца меняется от 1012 - 1020 атом/см3.
Cлайд 13
4. Граница кристалла Этот дефект приводит к искажениям даже внутри матрицы и к нарушению кристаллической симметрии в областях примыкающих к границе. Картина зерен в поликристалле 5. Поликристаллы зерна или кристаллиты с разной ориентацией. Объем зерен больше физически представительного объема. Поперечный размер зерен порядка 10-3 10-6 см Свойства поликристаллов обусловлены как самими кристаллическими зернами, так и межзёренными границами. Если зерна малы и ориентированы хаотично, то в поликристаллах не проявляется анизотропия свойств, свойственная, например, монокристаллу. Если есть определенная ориентация зерен, то поликристалл является текстурированным и обладает анизотропией.
Cлайд 14
Выход краевой дислокации на границу Винтовая дислокация роста кристалла. Скопление дислокаций на межзеренных границах Сетка дислокаций Винтовая дислокация 5. Дислокации – неравновесный тип дефекта, т.е. их появление обусловлено предысторией образца и связано либо ростом кристаллита, либо действием внешних нагрузок или воздействий. Различают несколько типов дислокаций: краевые, винтовые, смешанные. Их скопления часто формируют межзеренные границы.
Cлайд 15
В зависимости от размерности различают следующие типы дефектов: 1. Точечные дефекты: Междоузельные атомы и вакансии, Примесные атомы 2. Линейные дефекты:Дислокации 3. Плоские дефекты: Граница кристалла, Поликристаллы Феноменологические характеристики точечных дефектов: - энергия образования; - энергия миграции; - дилатационный объём.
Cлайд 16
В идеальной структуре какого-либо типа, атом занимает положение, соответствующее узлу решетки. Лишний атом, для которого нет соответствующего узла, занимает междоузельное положение. Таких положений может быть для структуры несколько. Различные виды междоузельных атомов углерода в решетке алмаза: а – Тетраэдрическое – T; б – Гексагональное –H; в – междоузлие посредине связи – M; г – Расщепленное междоузлие (гантель -). Междоузлие
Cлайд 17
Лишний атом, для которого нет соответствующего узла, занимает междоузельное положение и возмущает распределение электронной плотности внутри элементарной ячейки Собственное междоузлие в алмазе Распределение электронной плотности в элементарной ячейке алмаза и в ячейке содержащей тетраэдрическое междоузельный атом углерода. Уровень изображенных изоповерхностей один и тот же =1.25
Cлайд 18
Вакансии в ковалентных соединениях Отсутствие атома в узле решетки создает точечный дефект типа вакансии: Конфигурация вакансии и дивакансии в алмазе Картина смещений отличается от смещений для междоузельных атомов направлением, обычно ближайшее окружение смещается к пустому узлу. В соединениях ионного типа вакансии образуются парами, что является энергетически более выгодной конфигурацией для данной структуры (дефект Шоттки). Сказывается необходимость соблюдения нейтральности. Такой тип дефектов проявляются тем выгоднее, чем выше ионность связи, например в NaCl. Отметим также, что в ВТСП типа YBa2Cu3O7 связь наблюдается частично ионной связи.
Cлайд 19
Атома нет в соответствующем узле, что приводит к возмущению распределение электронной плотности внутри элементарной ячейки Одиночная вакансия в алмазе Распределение электронной плотности в идеальной элементарной ячейке алмаза и в ячейке содержащей одиночную вакансию. Уровень изображенных изоповерхностей один и тот же =1.25
Cлайд 20
Cлайд 21
Модель образования вакансии в простых веществах Можно предложить следующий механизм образования вакансии. Атом выносится на границу кристалла, при этом число частиц в системе не изменяется. Действительно, простое удаление атома из узла решетки кристалла на бесконечность изменяет число частиц в системе и для расчета термодинамического потенциала системы потребуется учитывать этот факт. В окрестности образовавшейся вакансии будет происходить релаксация атомов (красные стрелки на рисунке). Будем считать, что два атома вещества взаимодействуют друг с другом посредством парного потенциала взаимодействия, который не зависит от окружения атомов.
Cлайд 22
Энергия атома, находящегося в узле кристалла, равна Eузл=z1*φ(R*), где число ближайших соседей порядка z1 6 - 8, R*– равновесное межатомное расстояние, оценка потенциала φ(R*) может быть сделана, например, из энергии сублимации вещества, что дает φ(R*) ≈ 0.2 ÷ 0.3eV. Таким образом, величина энергии атома в узле решетки равна Eузл~ 1.6 ÷ 2.4 эВ. Такая энергия должна быть затрачена на разрыв связей при образовании вакансии. Однако вынутый атом размещается на поверхности, следовательно, можно считать, что половина разорванных связей восстанавливается. Энергия атома, находящегося на поверхности равна. Таким образом, величина энергия формирования вакансии Ef ≈ 0.8 ÷ 1.2 эВ. Миграция ваканисии Рассмотрим миграцию вакансий. Чтобы атом А перепрыгнул на пустой узел, в котором расположена вакансия, казалось бы ему не нужно преодолевать барьер, но это не так – надо разорвать связи. Расчет энергии формирования вакансии
Cлайд 23
Кроме того, вдоль траектории миграции вакансии (или атома А) возникает энергетический барьер (энергетическая линза), создаваемый ближайшими атомами. Это наиболее наглядно видно в трехмерном кристалле Число ближайших соседей в сечении ABCD обычно меньше, чем у узле, z2 = 4. Если предположить, что парный потенциал меняется слабо, то величину энергетического барьера для миграции вакансии можно оценить Emγ ≈ 0.8 ÷ 1 эВ.
Cлайд 24
Дилатационный объем вакансии Пусть ω0 – объем, приходящийся на один атом твердого тела. При образовании вакансии поверхность за счет релаксации исказится, и объем кристалла V изменится. Оценки дают примерно δV(1)= - 0.1ω0, это результат был получен на основании результатов дилатационных экспериментов, связанных с введением в образец множества вакансий. Отметим, что в матрице окружающей область образования вакансии происходит некоторое увеличение плотности вещества за счет релаксации. В рассмотренном выше механизме образовании вакансии атом выходит на поверхность. Связанное с этим дополнительное изменение объема составляет δV(2)=+ω0. Таким образом, суммарное изменение объема кристалла равно: δV=δV(1) + δV(2) =+0.9ω0 Изменение объема
Дефекты кристаллического строенияРеальные металлы, которые используют в качестве конструкционных
материалов, состоят из большого числа кристаллов неправильной формы. Эти
кристаллы
называют
зернами
или
кристаллами,
а
строение
поликристаллическим или зернистым. Существующие технологии производства
металлов не позволяют получить их идеальной химической чистоты, поэтому
реальные металлы содержат примесные атомы. Примесные атомы являются
одним из главных источников дефектов кристаллического строения. В
зависимости от химической чистоты металлы делят на три группы:
химически чистые - содержание 99,9%;
высокочистые - содержание 99,99%;
сверхчистые - содержание 99,999%.
Атомы любых примесей по своим размерам и по своему строению резко
отличаются от атомов основного компонента, поэтому силовое поле вокруг
таких атомов искажено. Вокруг любых дефектов возникает зона упругого
искажения кристаллической решетки, которая уравновешивается объемом
кристалла, примыкающим к дефекту кристаллической структуры.
присущи всем металлам. Эти нарушения идеальной структуры твердых тел
оказывают существенное влияние на их физические, химические,
технологические и эксплуатационные свойства. Без использования
представлений о дефектах реальных кристаллов невозможно изучить явления
пластической деформации, упрочнение и разрушение сплавов и др. Дефекты
кристаллического строения удобно классифицировать по их геометрической
форме и размерам:
поверхностные (двумерные) малы только в одном направлении и имеют
плоскую форму - это границы зерен, блоков и двойников, границы доменов;
точечные (нульмерные) малы во всех трех измерениях, их размеры не
больше нескольких атомных диаметров - это вакансии, межузельные атомы,
примесные атомы;
линейные (одномерные) малы в двух направлениях, а в третьем
направлении они соизмеримы с длиной кристалла - это дислокации, цепочки
вакансий и межузельных атомов;
объемные (трехмерные) имеют во всех трех измерениях относительно
большие размеры - это крупные неоднородности, поры, трещины и т.д.;Поверхностные дефекты представляют собой поверхности раздела
между отдельными зернами или субзернами в поликристаллическом металле, к
ним также относятся дефекты «упаковки» в кристаллах.
Граница зерен - это поверхность, по обе стороны от которой
кристаллические решетки различаются пространственной ориентацией. Эта
поверхность является двумерным дефектом, имеющим значительные размеры в
двух измерениях, а в третьем - его размер соизмерим с атомным. Границы зерен
- это области высокой дислокационной плотности и несогласованности
строения граничащих кристаллов. Атомы на границе зерен имеют повышенную
энергию по сравнению с атомами внутри зерен и, как следствие этого, более
склонны вступать в различные взаимодействия и реакции. На границах зерен
отсутствует упорядоченное расположение атомов.На границах зерен в процессе кристаллизации металла скапливаются
различные примеси, образуются дефекты, неметаллические включения,
оксидные пленки. В результате металлическая связь между зернами нарушается
и прочность металла снижается. В результате нарушенного строения границы
ослабляют или упрочняют металл, что приводит соответственно к
межкристаллитному (межзеренному) или транскристаллитному (по телу зерна)
разрушению. Под действием высоких температур металл стремится уменьшить
поверхностную энергию границ зерен за счет роста зерен и сокращения
протяженности их границ. При химическом воздействии границы зерен
оказываются более активными и вследствие этого коррозионное разрушение
начинается по границам зерен (эта особенность лежит в основе микроанализа
металлов при изготовлении шлифов).
Есть еще один источник поверхностного искажения кристаллического
строения металла. Зерна металла взаимно разориентированы на несколько
градусов, фрагменты разориентированы на минуты, а блоки, составляющие
фрагмент, взаимно разориентированы всего лишь на несколько секунд. Если
рассмотреть зерно при большом увеличении, то окажется, что внутри его
имеются участки разориентированные друг относительно друга на угол 15"...30".
Такая структура называется блочной или мозаичной, а области - блоками
мозаики. Свойства металлов будут зависеть как от размеров блоков и зерен, так
и от их взаимной ориентации.Ориентированные блоки объединяются в более крупные фрагменты в
которых общая ориентация остается произвольной, таким образом, все зерна
разоорентированны относительно друг друга. С повышением температуры
разооринтация зерен растет. Термический процесс, вызывающий деление зерна
на фрагменты называется - полигонизацией.
Различие свойства в зависимости от направления в металлах носит
название – анизотропии. Анизотропия характерна для всех веществ с
кристаллическим строением. В объеме зерна расположены произвольно поэтому
в разных направлениях находится примерно одинаковое количество атомов и
свойства остаются одинаковыми это явление называется – квазианизотропией
(ложная – анизотропия).Точечные дефекты малы в трех измерениях и размерами
приближаются к точке. Одним из распространенных дефектов является
вакансии, т. е. место не занятое атомом (дефект Шоттки). На место вакантного
узла может перемещаться новый атом, а вакантное место -”дырка” образуется по
соседству. С повышением температуры концентрация вакансий возрастает. так
как атомы. расположенные вблизи поверхности. могут выйти на поверхность
кристалла. а их место займут атомы. находящиеся дальше от поверхности.
Наличие вакансий в решетке сообщает атомам подвижность. т.е. позволяет им
перемещаться в процессе самодиффузии и диффузии. и тем самым оказывает
влияние на такие процессы как старение, выделение вторичных фаз и т.п.
Другими точечными дефектами являются дислоцированные атомы
(дефект Френкеля), т.е. атомы собственного металла, вышедшие из узла
решетки и занявшие место где-то в междоузлии. При этом на месте
переместившегося атома образуется вакансия. Концентрация таких дефектов
невелика. т.к. для их образования требуется существенная затрата энергии.В любом металле присутствуют чужеродные атомы примесей. В
зависимости от природы примесей и условий попадания их в металл они могут
быть растворены в металле или находиться в виде отдельных включений. На
свойства металла наибольшее влияние оказывают чужеродные растворенные
примеси, атомы которых могут располагаться в пустотах между атомами
основного металла - атомы внедрения или в узлах кристаллической решетки
основного металла - атомы замещения. Если атомы примесей значительно
меньше атомов основного металла, то они образуют растворы внедрения, а если
больше - то образуют растворы замещения. В обоих случаях решетка становится
дефектной и искажения ее влияют на свойства металла.Линейные дефекты малы в двух измерениях, в третьем они могут
достигать длины кристалла (зерна). К линейным дефектам относятся цепочки
вакансий. межузельных атомов и дислокации. Дислокации являются особым
видом несовершенств в кристаллической решетке. С позиции теории дислокаций
рассматриваются прочность, фазовые и структурные превращения. Дислокацией
называется линейное несовершенство, образующее внутри кристалла зону
сдвига. Теория дислокаций была впервые применена в середине тридцатых годов
ХХ века физиками Орованом, Поляни и Тейлором для описания процесса
пластической деформации кристаллических тел. Ее использование позволило
объяснить природу прочности и пластичности металлов. Теория дислокаций дала
возможность объяснить огромную разницу между теоретической и практической
прочностью металлов.
К основным видам дислокаций относятся краевые и винтовые. Краевая
дислокация образуется, если внутри кристалла появляется лишняя
полуплоскость атомов, которая называется экстраплоскостью. Ее край 1-1
создает линейный дефект решетки, который называется краевой дислокацией.
Условно принято, что дислокация положительная, если она находится в верхней
части кристалла и обозначается знаком ” ”, если дислокация находится в нижней
части - отрицательная “T“. Дислокации одного и того же знака отталкиваются, а
противоположного - притягиваются. Под воздействием напряжения краевая
дислокация может перемещаться по кристаллу (по плоскости сдвига), пока не
достигнет границы зерна (блока). При этом образуется ступенька величиной в
одно межатомное расстояние.Пластический сдвиг является следствием
постепенного перемещения дислокаций в плоскости
сдвига. Распространение скольжения по плоскости
скольжения происходит последовательно. Каждый
элементарный акт перемещения дислокации из
одного положения в другое совершается путем
разрыва лишь одной вертикальной атомной
плоскости. Для перемещения дислокаций требуется
значительно меньшее усилие, чем для жесткого
смещения одной части кристалла относительно другой в плоскости сдвига. При
движении дислокации вдоль направления сдвига через весь кристалл
происходит смещение верхней и нижней его частей лишь на одно межатомное
расстояние. В результате перемещения дислокация выходит на поверхность
кристалла и исчезает. На поверхности остается ступенька скольжения.Винтовая дислокация. Образуется неполным сдвигом кристалла по
плотности Q. В отличие от краевой дислокации винтовая дислокация
параллельна вектору сдвига.
Дислокации образуются в процессе кристаллизации металлов при
”захлопывании” группы вакансий, а также в процессе пластической деформации
и фазовых превращений. Важной характеристикой дислокационной структуры
являются плотность дислокаций. Под плотностью дислокаций понимают
суммарную длину дислокаций l (см.), приходящуюся на единицу объема V
кристалла (см3). Таким образом. размерность плотности дислокаций, см-2. У
отожженных металлов - 106...108 см-2. При холодном пластическом
деформировании плотность дислокаций возрастает до 1011...1012 см-2. Более
высокая плотность дислокаций приводит к появлению микротрещин и
разрушению металла.
Вблизи линии дислокации атомы смещены со
своих мест и кристаллическая решетка искажена, что
вызывает образование поля напряжений (выше линии
дислокации решетка сжата, а ниже растянута).
Величина единичного смещения плоскостей
характеризуется вектором Бюргере b, который
отражает как абсолютную величину сдвига, так и его
направление.Смешанная дислокация. Дислокация не может закончиться внутри
кристалла, не соединяясь с другой дислокацией. Это следует из того, что
дислокация является границей зоны сдвига, а зона сдвига всегда есть
замкнутая линия, причем часть этой линии может проходить по внешней
поверхности кристалла. Следовательно, линия дислокации должна замыкаться
внутри кристалла или оканчиваться на его поверхности.
Когда граница зоны сдвига (линия дислокации авcdf) образована
прямыми участками, параллельными и перпендикулярными вектору сдвига, и
более общий случай криволинейной линии дислокации gh. На участках ав, cd и
ef дислокация краевая, на участках вс и de – дислокация винтовая. Отдельные
участки криволинейной линии дислокации имеют краевую или винтовую
ориентацию, но часть этой кривой не перпендикулярна и не параллельна
вектору сдвига, и на этих участках имеет место дислокация смешанной
ориентации.Пластическая деформация кристаллических тел связана с количеством
дислокаций, их шириной, подвижностью, степенью взаимодействия с дефектами
решетки и т. д. Характер связи между атомами влияет на пластичность
кристаллов. Так, в неметаллах с их жесткими направленными связями
дислокации очень узкие, они требуют больших напряжений для старта - в 103
раз больших, чем для металлов. В результате хрупкое разрушение в неметаллах
наступает раньше, чем сдвиг.
Основной причиной низкой прочности реальных металлов является
наличие в структуре материала дислокаций и других несовершенств
кристаллического строения. Получение бездислокационных кристаллов
приводит к резкому повышению прочности материалов.
Левая ветвь кривой соответствует созданию
совершенных
бездислокационных
нитевидных
кристаллов (так называемых «усов»), прочность
которых близка к теоретической. При ограниченной
плотности дислокаций и других искажений
кристаллической
решетки
процесс
сдвига
происходит тем легче, чем больше дислокаций
находится в объеме металла.Одной из характеристик дислокации является вектор смещения - вектор
Бюргерса. Вектор Бюргерса – это дополнительный вектор, который нужно
ввести в контур, описанный вокруг дислокации, чтобы замкнуть
соответствующий ему контур в решетке идеального кристалла, разомкнувшийся
из-за наличия дислокации. Контур проведенный по решетке вокруг участка, в
котором есть дислокация, окажется незамкнутым (контур Бюргерса). Разрыв
контура характеризует сумму всех упругих смещений решетки, накопившихся в
области вокруг дислокации – вектор Бюргерса.
У краевой дислокации вектор Бюргерса перпендикулярен, а у винтовой
дислокации – параллелен линии дислокации. Вектор Бюргерса является мерой
искаженности кристаллической решетки, обусловленной присутствием в ней
дислокации. Если дислокация вводится в кристалл чистым сдвигом, то вектор
сдвига и является вектором Бюргерса. Контур Бюргерса может быть смещен
вдоль линии дислокации, растянут или сжат в направлении, перпендикулярном
линии дислокации, при этом величина и направление вектора Бюргерса
остаются постоянными.С ростом напряжений возрастает число источников дислокаций в
металле и их плотность увеличивается. Помимо параллельных дислокаций
возникают дислокации в разных плоскостях и направлениях. Дислокации
воздействуют друг на друга, мешают друг другу перемешаться, происходит их
аннигиляция (взаимное уничтожение) и т. д. (что позволило Дж. Гордону образно
назвать их взаимодействие в процессе пластической деформации «интимной
жизнью дислокаций»). С повышением плотности дислокаций их движение
становится все более затрудненным, что требует увеличения прилагаемой
нагрузки для продолжения деформации. В результате металл упрочняется, что
соответствует правой ветви кривой.
Дислокации наряду с другими дефектами участвуют в фазовых
превращениях, рекристаллизации, служат готовыми центрами при выпадении
второй фазы из твердого раствора. Вдоль дислокаций скорость диффузии на
несколько порядков выше, чем через кристаллическую решетку без дефектов.
Дислокации служат местом концентрации примесных атомов, в особенности
примесей внедрения, так как это уменьшает искажения решетки.Если под влиянием внешних усилий в металле возникают дислокации,
то упругие свойства металла изменяются и начинает сказываться влияние
знака первоначальной деформации. Если металл подвергнуть слабой
пластической деформации нагрузкой одного знака, то при перемене знака
нагрузки обнаруживается понижение сопротивления начальным пластическим
деформациям (эффект Баушингера).
Возникшие при первичной деформации дислокации обуславливают
появление в металле остаточных напряжений, которые складываясь с
рабочими напряжениями при перемене знака нагрузки, вызывают снижение
предела текучести. С увеличением начальных пластических деформаций
величина снижения механических характеристик увеличивается.
Эффект
Баушингера
явно
проявляется
при
незначительном
начальном
наклепе.
Низкий
отпуск
наклепанных
материалов
ликвидирует все проявления
эффекта Баушингера. Эффект
значительно ослабляется при
многократных
циклических
нагружениях
материала
с
наличием малых пластических
деформаций разного знака.Все перечисленные дефекты кристаллического строения приводят к
появлению внутренних напряжений. По величине объема, где они
уравновешиваются различают напряжения I, II и III рода.
Внутренние напряжения I рода - это зональные напряжения,
возникающие между отдельными зонами сечения или между отдельными
частями детали. К ним относятся термические напряжения, которые появляются
при ускоренном нагреве и охлаждении при сварке, термической обработке.
Внутренние напряжения II рода - возникают внутри зерна или между
соседними зернами, обусловлены дислокационной структурой металла.
Внутренние напряжения III рода - возникают внутри объема порядка
нескольких элементарных ячеек; главным источником являются точечные
дефекты.
Внутренние остаточные напряжения являются опасными, так как
складываются с действующими рабочими напряжениями и могут привести к
преждевременному разрушению конструкции.
Дефекты в кристаллах
Всякий реальный кристалл не имеет совершенной структуры и обладает рядом нарушений идеальной пространственной решетки, которые называются дефектами в кристаллах.
Дефекты в кристаллах подразделяют на нульмерные, одномерные и двумерные. Нульмерные (точечные) дефекты можно подразделить на энергетические, электронные и атомные.
Наиболее распространены энергетические дефекты - фононы - временные искажения регулярности решетки кристалла, вызванные тепловым движением. К энергетическим дефектам кристаллов относятся также временные несовершенства решетки (возбужденные состояния), вызываемые воздействием различных радиаций: света, рентгеновского или γ-излучения, α-излучения, потока нейтронов.
К электронным дефектам относятся избыточные электроны, недостаток электронов (незаполненные валентные связи в кристалле - дырки) и экситоны. Последние представляют собой парные дефекты, состоящие из электрона и дырки, которые связаны кулоновскими силами.
Атомные дефекты проявляются в виде вакантных узлов (дефекты Шотки, рис. 1.37), в виде смещения атома из узла в междоузлие (дефекты Френкеля, рис. 1.38), в виде внедрения в решетку чужеродного атома или иона (рис. 1.39). В ионных кристаллах для сохранения электронейтральности кристалла концентрации дефектов Шотки и Френкеля должны быть одинаковыми как для катионов, так и для анионов.
К линейным (одномерным) дефектам кристаллической решетки относятся дислокации (в переводе на русский язык слово «дислокация» означает «смещение»). Простейшими видами дислокаций являются краевая и винтовая дислокации. О характере их можно судить по рис. 1.40-1.42.
На рис. 1.40, а изображено строение идеального кристалла в виде семейства параллельных друг другу атомных плоскостей. Если одна из этих плоскостей обрывается внутри кристалла (рис. 1.40, б), то место обрыва ее образует краевую дислокацию. В случае винтовой дислокации (рис. 1.40, в) характер смещения атомных плоскостей иной. Здесь нет обрыва внутри кристалла какой-нибудь из атомных плоскостей, но сами атомные плоскости представляют собой систему, подобную винтовой лестнице. По существу, это одна атомная плоскость, закрученная по винтовой линии. Если обходить по этой плоскости вокруг оси винтовой дислокации (штриховая линия на рис. 1.40, в), то с каждым оборотом будем подниматься или опускаться на один шаг винта, равный межплоскостному расстоянию.
Детальное исследование строения кристаллов (с помощью электронного микроскопа и другими методами) показало, что монокристалл состоит из большого числа мелких блоков, слегка дезориентированных друг относительно друга. Пространственную решетку внутри каждого блока, можно считать достаточно совершенной, но размеры этих областей идеального порядка внутри кристалла очень малы: полагают, что линейные размеры блоков лежат в пределах от 10-6 до 10 -4см.
Любая конкретная дислокация может быть представлена как сочетание краевой и винтовой дислокации.
К двумерным (плоскостным) дефектам относятся границы между зернами кристаллов, ряды линейных дислокаций. Сама поверхность кристалла тоже может рассматриваться как двумерный дефект.
Точечные дефекты типа вакансий имеются в каждом кристалле, как бы тщательно он ни выращивался. Более того, в реальном кристалле вакансии постоянно зарождаются и исчезают под действием тепловых флуктуации. По формуле Больцмана равновесная концентрация вакансий пв в кристалле при данной температуре (Т) определится так:
где п - число атомов в единице объема кристалла, е - основание натуральных логарифмов, k - постоянная Больцмана, Ев - энергия образования вакансий.
Для большинства кристаллов энергия образования вакансий примерно равна 1 эв, при комнатной температуре kT » 0,025 эв,
следовательно,
При повышении температуры относительная концентрация вакансий довольно быстро растет: при Т = 600° К она достигает 10-5, а при 900° К-10-2.
Аналогичные рассуждения можно сделать относительно концентрации дефектов по Френкелю, с учетом того, что энергия образования внедрений значительно больше (порядка 3-5 эв).
Хотя относительная концентрация атомных дефектов может быть небольшой, но изменения физических свойств кристалла, вызванные ими, могут быть огромными. Атомные дефекты могут влиять на механические, электрические, магнитные и оптические свойства кристаллов. В качестве иллюстрации приведем лишь один пример: тысячные доли атомного процента некоторых примесей к чистым полупроводниковым кристаллам изменяют их электрическое сопротивление в 105-106 раз.
Дислокации, являясь протяженными дефектами кристалла, охватывают своим упругим полем искаженной решетки гораздо большее число узлов, чем атомные дефекты. Ширина ядра дислокации составляет всего несколько периодов решетки, а длина его достигает многих тысяч периодов. Энергия дислокаций оценивается величиной порядка 4 10 -19 дж на 1 м длины дислокации. Энергия дислокаций, рассчитанная на одно межатомное расстояние вдоль длины дислокации, для разных кристаллов лежит в пределах от 3 до 30эв. Такая большая энергия, необходимая для создания дислокаций, является причиной того, что число их практически не зависит от температуры (атермичность дислокаций). В отличие от вакансий [см. формулу (1.1), вероятность возникновения дислокаций за счет флуктуации теплового движения исчезающе мала для всего интервала температур, в котором возможно кристаллическое состояние.
Важнейшим свойством дислокаций является их легкая подвижность и активное взаимодействие между собой и с любыми другими дефектами решетки. Не рассматривая механизм движения дислокаций, укажем, что для того, чтобы вызвать движение дислокации, достаточно создать в кристалле небольшое напряжение сдвига порядка 0,1кГ/мм2. Уже под влиянием такого напряжения дислокация будет перемещаться в кристалле, пока не встретит какого-либо препятствия, которым может быть граница зерна, другая дислокация, атом внедрения и т. д. При встрече с препятствием дислокация искривляется, огибает препятствие, образуя расширяющуюся дислокационную петлю, которая затем отшнуровывается и образует отдельную дислокационную петлю, причем в области обособленной расширяющейся петли остается отрезок линейной дислокации (между двумя препятствиями), который под воздействием достаточного внешнего напряжения снова будет изгибаться, и весь процесс повторится снова. Таким образом, видно, что при взаимодействии движущихся дислокаций с препятствиями происходит рост числа дислокаций (их размножение).
В недеформированных металлических кристаллах через площадку в 1 см2 проходит 106-108 дислокаций, при пластической деформации плотность дислокаций возрастает в тысячи, а иногда и в миллионы раз.
Рассмотрим, какое влияние оказывают дефекты кристалла на его прочность.
Прочность идеального кристалла можно рассчитать как силу, необходимую для того, чтобы оторвать атомы (ионы, молекулы) друг от друга, либо сдвинуть их, преодолев силы межатомного сцепления, т. е. идеальная прочность кристалла должна определяться произведением величины сил межатомной связи на количество атомов, приходящихся на единицу площади соответствующего сечения кристалла. Прочность же реальных кристаллов на сдвиг обычно на три-четыре порядка ниже расчетной идеальной прочности. Такое большое снижение прочности кристалла нельзя объяснить уменьшением рабочей площади поперечного сечения образца за счет пор, каверн и микротрещин, так как при ослаблении прочности в 1000 раз каверны должны были бы занимать 99,9% площади поперечного сечения кристалла.
С другой стороны, прочность монокристаллических образцов, во всем объеме которых сохраняется приблизительно единая ориентация кристаллографических осей, значительно ниже прочности поликристаллического материала. Известно также, что в ряде случаев кристаллы с большим числом дефектов обладают более высокой прочностью, чем кристаллы с меньшим количеством дефектов. Сталь, например, представляющая собой железо, «испорченное» примесью углерода и другими присадками, обладает значительно более высокими механическими свойствами, чем чистое железо.
Несовершенство кристаллов
До сих пор мы рассматривали идеальные кристаллы. Это позволило нам объяснить ряд характеристик кристаллов. На самом деле кристаллы не являются идеальными. В них могут в большом количестве присутствовать разнообразные дефекты. Некоторые свойства кристаллов, в частности электрические и другие, также зависят от степени совершенства этих кристаллов. Такие свойства называют структурно – чувствительными свойствами. Существуют 4 основных типа несовершенств в кристалле и ряд не основных.
К основным несовершенствам относится:
1) Точечные дефекты. Они включают в себя пустые узлы в решетке (вакансии), междоузельные лишние атомы, примесные дефекты (примеси замещения и примесь внедрения).
2) Линейные дефекты. (дислокации).
3) Плоскостные дефекты. Они включают в себя: поверхности всевозможные других включений, трещины, наружная поверхность.
4) Объемные дефекты. Включают в себя сами включения, чужеродные примеси.
К не основным несовершенствам относится:
1) Электроны и дырки – электронные дефекты.
2) Фононы, фотоны и другие квазичастицы, которые существуют в кристалле ограниченное время
Электроны и дырки
Фактически они не оказывали влияние на энергетический спектр кристалла в невозбужденном состоянии. Однако, в реальных условиях, при T¹0 (абсолютная температура), электроны и дырки могут быть возбужденные в самой решетке, с одной стороны, а с другой стороны могут инжектироваться (вводится) в нее из вне. Такие электроны и дырки могут приводить с одной стороны к деформации самой решетки, а с другой стороны, за счет взаимодействия с другими дефектами, нарушать энергетический спектр кристалла.
Фотоны
Их нельзя рассматривать как истинное несовершенство. Хотя фотоны и обладают определенной энергией и импульсом, но если эта энергии не достаточно для генерации электронно – дырочных пар, то в этом случае кристалл будет прозрачен для фотона, то есть он без взаимодействия с материалом будет свободно проходить через него. Его включают в классификацию потому, что они могут оказывать влияние на энергетический спектр кристалла за счет взаимодействия с другими несовершенствами, в частности с электронами и дырками.
Точечные несовершенства (дефект)
При T¹0 может оказаться, что энергия частиц в узлах кристаллической решетки окажется достаточной для перевода частицы из узла в междоузлие. При чем каждой определенной температуре будет соответствовать свой определенная концентрация таких точечных дефектов. Часть дефектов будет образовываться за счет перевода частиц из узлов в междоузлие, а часть из них будет рекомбинировать (уменьшение концентрации) за счет перехода из междоузлий в узлы. За счет равенства потоков для каждой температуры будет соответствовать своя концентрация точечных дефектов. Такой дефект, который представляет собой совокупность междоузельного атома и оставшегося свободного узла), кансии) есть дефект по Френкелю. Частица из приповерхностного слоя, за счет температуры, может выйти на поверхность), поверхность является бесконечным стоком этих частиц). Тогда в приповерхностном слое образуется один свободный узел (вакансия). Этот свободный узел может быть занят более глубоко лежащим атомом, что эквивалентно перемещению вакансий в глубь кристалла. Такие дефекты называют дефектами по Шотки. Можно представить себе следующий механизм образования дефектов. Частица с поверхности перемещается в глубь кристалла и в толще кристалла появляется лишние междоузельные атомы без вакансий. Такие дефекты называют антишоткиевские дефекты.
Образование точечных дефектов
Существует три основных механизма образования точечных дефектов в кристалле.
Закалка. Кристалл нагревают до значительной температуры (повышенной), при этом каждой температуре соответствует вполне определенная концентрация точечных дефектов (равновесная концентрация). При каждой температуре устанавливается равновесная концентрация точечных дефектов. Чем больше температура, тем больше концентрация точечных дефектов. Если таким образом нагретый материал резко охладить, то в этом случае эта избыточная точечных дефектов окажется замороженной, не соответствующей этой низкой температуре. Таким образом, получают избыточную, по отношению к равновесной концентрации точечных дефектов.
Воздействие на кристалл внешними силами (полями). В этом случае к кристаллу подводится энергия, достаточная для образования точечных дефектов.
Облучение кристалла частицами высоких энергий. За счет внешнего облучения в кристалле возможны три основных эффекта:
1) Упругое взаимодействие частиц с решеткой.
2) Не упругое взаимодействие (ионизация электронов в решетке) частиц с решеткой.
3) Все возможные ядерные транс мутации (превращения).
Во 2-м и 3-м эффектах всегда присутствует и первый эффект. Эти упругие взаимодействия сказываются двояко: с одной стороны проявляются в виде упругих колебаний решетки, к образованию структурных дефектов, с другой стороны. При этом энергия падающего излучения должна превосходить пороговую энергию образования структурных дефектов. Эта пороговая энергия обычно в 2 –3 раза превосходит энергию, необходимую для образования такого структурного дефекта в адиабатических условиях. В адиабатических условиях для кремния (Si) энергия адиабатического образования составляет 10 эВ, пороговая энергия = 25 эВ. Для образования вакансии в кремнии, необходимо чтобы энергия внешнего излучения как минимум была больше 25 Эв, а не 10 эВ как для адиабатного процесса. Возможен вариант, что при значительных энергиях падающего излучения одна частица (1 квант) приводит к образованию не одного, а нескольких дефектов. Процесс может носить каскадный характер.
Концентрация точечных дефектов
Найдем концентрацию дефектов по Френкелю.
Предположим, что в узлах кристаллической решетки расположено N частиц. Из них n частиц перешли из узлов в междоузлие. Пусть энергия образования дефектов по Френелю будет Eф. Тогда вероятность того, что еще одна частица перейдет из узла в междоузлие будет пропорциональна числу сидящих еще в узлах частиц (N-n), и больцмановскому множителю, то есть ~. А общее число частиц перешедших из узлов в междоузлие ~. Найдем число частиц переходящих из междоузлий в узлы (рекомбинирует). Это число пропорционально n, и пропорционально числу свободных мест в узлах, а точнее вероятности того, что частица наткнется на пустой узел, (то есть ~). ~. Тогда суммарное изменение числа частиц будет равна разности этих величин:
С течением времени потоки частиц из узлов в междоузлия и в обратном направлении станут, равны друг другу то есть, устанавливается стационарное состояние. Так как число частиц в междоузлиях много меньше общего числа узлов, то n можно пренебречь и. Отсюда найдем
– концентрация дефектов по Френкелю, где a и b – неизвестные коэффициенты. Используя статистический подход, к концентрации дефектов по Френкелю и учтя, что N’ – число междоузлий, мы можем найти концентрацию дефектов по Френкелю: , где N – число частиц, N’ – число междоузлий.
Процесс образования дефектов по Френкелю является бимолекулярным процессом (2-х частичный процесс). В то же время процесс образования дефектов по Шотки, является мономолекулярным процессом.
Дефект по Шотки представляет одну вакансию. Проведя аналогичные рассуждения, как и для концентрации дефектов по Френкелю, получим концентрацию дефектов по Шотки в следующем виде: , где nш – концентрация дефектов по Шотки, Eш – энергия образования дефектов по Шотки. Так как процесс образования по Шотки является мономолекулярным, то в отличие от дефектов по Френкелю, в знаменателе показателя экспоненты отсутствует 2. Процесс образования, например дефектов по Френкелю, характерно для атомных кристаллов. Для ионных кристаллов дефекты, например по Шотки, могут образовываться лишь парами. Это происходит потому, что для сохранения электронейтральности ионного кристалла необходимо, чтобы на поверхность выходили одновременно пары ионов противоположного знака. То есть концентрация таких парных дефектов может быть представлена в виде бимолекулярного процесса: . Теперь можно найти отношение концентраций дефектов по Френкелю к концентрации дефектов по Шотки: ~. Энергия образования парных дефектов по Шотки Eр и энергия образования дефектов по Френкелю Eф имеют величину порядка 1 эВ и могут отличаться друг от друга порядка нескольких десятых эВ. KT для комнатных температур имеет значение порядка 0,03 эВ. Тогда ~. Отсюда следует, что для конкретного кристалла будет преобладать один конкретный тип точечных дефектов.
Скорость перемещения дефектов по кристаллу
Диффузия – есть процесс перемещения частиц в кристаллической решетке на макроскопические расстояния вследствие флуктуации (изменения) тепловой энергии. Если перемещающиеся частицы являются частицы самой решетки, то речь идет о самодиффузии. Если в перемещении участвуют частицы, являющиеся чужеродными, то речь идет о гетеродиффузии. Перемещение этих частиц в решетке может осуществлятся несколькими механизмами:
За счет движения междоузельных атомов.
За счет движения вакансий.
За счет взаимного обмена мест междоузельных атомов и вакансий.
Диффузия за счет движения междоузельных атомов
Фактически носит двухступенчатый характер:
Междоузельный атом должен образоваться в решетке.
Междоузельный атом должен перемещаться в решетке.
Положением в междоузлиях соответствует минимум потенциальной энергии
Пример: имеем пространственную решетку. Частица в междоузлии.
Для того, чтобы частица перешла из одного междоузлия в соседнее, она должна преодолеть потенциальный барьер высотой Em. Частота перескоков частиц из одного междоузлия в другое будет пропорциональна. Пусть частота колебания частиц, соответствует междоузлию v. Число соседних междоузлий равно Z. Тогда частота перескоков: .
Диффузия за счет движений вакансий
Процесс диффузии за счет вакансий также является 2-х ступенчатым. С одной стороны, вакансии должны образовываться, с другой стороны, она должна перемещаться. Следует отметить, что свободное место (свободный узел), куда может переместиться частица, существует также лишь определенную долю времени пропорционально, где Ev – энергия образования вакансий. А частота перескоков будет иметь вид: , где Em – энергия движения вакансий, Q=Ev+Em – энергия активации диффузии.
Перемещение частиц на большие расстояния
Рассмотрим цепочку одинаковых атомов.
Предположим, что имеем цепочку одинаковых атомов. Они расположены на расстоянии d друг от друга. Частицы могут смещаться влево или в право. Среднее смещение частиц равно 0. В силу равновероятности перемещения частиц в обоих направлениях:
Найдем среднеквадратичное смещение:
где n – число переходов частиц, может быть выражено. Тогда. Величина определяется параметрами данного материала. Поэтому обозначим: – коэффициент диффузии, в итоге:
В 3-х мерном случае:
Подставим сюда значение q, получим:
Где D0 – частотный фактор диффузии, Q – энергия активации диффузии.
Макроскопическая диффузия
Рассмотрим простую кубическую решетку:
Мысленно между плоскостями 1 и 2 условно выделим плоскость 3. и найдем число частиц, пересекающих эту полуплоскость слева на право и справа на лево. Пусть частота перескоков частиц равна q. Тогда за время, равное, полуплоскость 3 пересечет со стороны полуплоскости 1 частиц. Аналогично, за это же время выделенную полуплоскость со стороны полуплоскости 2 пересечет частиц. Тогда за время t изменение числа частиц в выделенной полуплоскости можно представить в следующем виде: . Найдем концентрацию частиц – примесей в полуплоскостях 1 и 2:
Разность объемных концентраций C1 и C2 можно выразить в виде:
Рассмотрим единичный выделенный слой (L2=1). Мы знаем, что – коэффициент диффузии, тогда:
– 1-й закон диффузии Фика.
Аналогично формула для 3-х мерного случая. Только в место одномерного коэффициента диффузии, подставляем коэффициент диффузии для 3-х мерного случая. Используя такую аналогию рассуждения для концентрации, а не для числа носителей, как в предыдущем случае, можно найти 2-й диффузии Фика.
– 2-й закон Фика.
2-й закон диффузии Фика очень удобен для расчетов, для практических приложений. В частности для коэффициента диффузии различных материалов. Например, имеем какой-то материал, на поверхность которого нанесена примесь, поверхностная концентрация которой равна Q см-2. Нагревая данный материал, осуществляют диффузию этой примеси в ее объем. В этом случае, в зависимости от времени устанавливается определенное распределение примеси, по толще материала для данной температуры. Аналитически распределение концентрации примеси, можно получить, решая уравнение диффузии Фика в следующем виде:
Графически это:
На этом принципе можно экспериментально найти параметры диффузии.
Экспериментальные методы исследования диффузии
Активационный метод
На поверхность материала наносят радиоактивную примесь, далее осуществляют диффузию этой примеси в материал. Затем послойно удаляют часть материала и исследуют активность, или оставшегося материала, или стравленного слоя. И таким образом находят распределение концентрации C по поверхности X(C(x)). Затем, используя полученное экспериментальное значение и последнею формулу, вычисляют коэффициент диффузии.
Химические методы
Они основаны на том, что при диффузии примеси, в результате ее взаимодействия с основным материалом образуется новые химические соединения с отличными от основных свойств решетки.
Методы p-n перехода
За счет диффузии примеси в полупроводниках на какой-то глубине полупроводника образуется область, в которой меняется тип его проводимости. Далее определяют глубину залегания p-n перехода и по ней судят о концентрации примесей на этой глубине. И далее делают по аналогии с 1-ым и 2-ым случаем.
Список использованных источников
1. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела./ Пер. с англ.; Под ред. А. А. Гусева. – М.: Наука, 1978.
2. Епифанов Г.И. Физика твердого тела: Учеб. пособие для втузов. – М.: Высш. школ, 1977.
3. Жданов Г.С., Хунджуа Ф.Г., Лекции по физике твердого тела – М: Изд-во МГУ, 1988.
4. Бушманов Б. Н., Хромов Ю. А. Физика твердого тела: Учеб. пособие для втузов. – М.: Высш. школ, 1971.
5. Кацнельсон А.А. Введение в физику твердого тела – М: Изд-во МГУ, 1984.
Дефекты в кристаллах Всякий реальный кристалл не имеет совершенной структуры и обладает рядом нарушений идеальной пространственной решетки, которые называются дефектами в кристаллах. Дефекты в кристаллах подразделяют на нульмерные, одном«Тепловое излучение» - Приводит к выравниванию температуры тела. Примеры теплопроводности: Примеры конвекции. Примеры излучения. Конвекция. Теплопроводность в природе и технике. Коэффициент пропорциональности называют коэффициентом теплопроводности. Тепловое излучение.
«Физика твёрдого тела» - Положительно заряженные ионы (остов). Энергия ЕF называется энергией Ферми. Уровни изолированного атома. Расстояние между атомами. Схема зонной структуры полупроводника. Расщепление уровней при сближении атомов (принцип Паули). Плотность заряда в произ-вольной точке поверхности: Т.5, М: Мир, 1977, С. 123.
«Вода как растворитель» - Роль воды в промышленности, сельском хозяйстве и быту очень велика и многообразна. Вода – самое распространенное вещество на нашей планете. Применение воды и растворов. Вода играет главную роль в жизни растений и животных. Вода является универсальным растворителем. Учитель физики Коришонкова Н.А. Вода-растворитель.
«Свойства твёрдых тел» - Жидкие кристаллы. Расположение атомов в кристаллических решетках не всегда правильное. Алмаз. Свойства кристаллических веществ определяются структурой кристаллической решетки. Кристалл турмалина. Механическая прочность Теплопроводность Электропроводность Оптические свойства. Аморфные. Дефекты в кристаллических решетках.
«Температура и тепловое равновесие» - Цель урока: Свойства температуры: Шкала Цельсия. Фрагмент урока физики в 10 классе. Мера средней кинетической энергии молекул. Температура. Тема: «Температура». Шкала Кельвина.
«Молекулярно-кинетическая теория» - Броуновское движение – беспорядочное движение частиц. Доказательства первого положения МКТ. Химический элемент- совокупность атомов одного вида. Молекула- система из небольшого числа связанных друг с другом атомов. Основные понятия МКТ. Частицы вещества взаимодействуют друг с другом. Доказательства второго положения МКТ.
Дефекты в кристаллах. Кристалл заполнен дефектами. Как же влияют дефекты на прочность кристаллов. Они понижают прочность, в сотни, тысячи раз. Но, по мере того, как растет деформация кристалла, растет и число дефектов в нем. А так как дефекты взаимодействуют друг с другом, то, чем их больше, тем труднее им двигаться в кристалле. Получается парадокс: если есть дефект кристалл - кристалл деформируется и разрушается легче, чем, если дефекта нет. А если дефектов слишком много, то кристалл опять становится прочным, и чем больше дефектов, тем он более упорядочивается. Значит, если мы научимся управлять числом и расположением дефектов, мы сможем управлять прочностью материалов.
Слайд 21 из презентации «Кристалл» . Размер архива с презентацией 1397 КБ.Химия 11 класс
краткое содержание других презентаций«Классификация веществ» - Распределите вещества. Простые вещества-металлы. Золото. Zn. Сера. Классификация веществ. CO. Cl2. Металлы и неметаллы. Исключите лишнее по классификационной характеристике вещество. Простые вещества-неметаллы. Na2o. O2. Серебро. О.С.Габриэлян. 11 класс. Распределите вещества по классам.
«Круговорот элементов в природе» - Денитрофицирующие бактерии. Растительные белки. Бактерии. Атмосфера. Молнии. Круговорот азота. Большой круговорот. Разлагающиеся организмы. В различных минералах фосфор содержится в виде неорганического фосфатиона (PO43-). Фосфор входит в состав генов и молекул, переносящих энергию внутрь клеток. Господствующей формой нахождения кислорода в атмосфере является молекула О2. Искусственные фосфатные удобрения; моющие средства. Фосфаты растворимы в воде, но не летучи.
«Дисперсные системы химия» - Дисперсная система твердое вещество - жидкость. Пористый шоколад. Хрящи. Дым. Минералы. Среда и фаза – жидкости. Керамика. Синерезис определяет сроки годности пищевых, медицинских и косметических гелей. В медицине. Шипучие напитки. Дисперсная система газ - жидкость. Смог. В пищевой промышленности. Поролон. Золи Гели. Истинные растворы. Полистирол. Суспензии. Дисперсная система жидкость - газ. Гели. Фаза и среда легко разделяются отстаиванием.
«Периодическая система химия» - И. Дёберейнер, Ж. Дюма, французский химик А. Шанкуртуа, англ. химики У. Одлинг, Дж. Менделеев о месте элемента в системе; положение элемента определяется номерами периода и группы. предсказание «экаалюминия» (будущего Ga, открытого П. Лекоком де Буабодраном в 1875), «экабора» (Sc, открытого шведским учёным Л. Нильсоном в 1879) и «экасилиция» (Ge, открытого немецким учёным К. Винклером в 1886). 1829 г - «триады» Дёберейнера 1850 г «дифференциальные системы» Петтенкофера и Дюма. 1864г Мейер - таблица, показывающая соотношение атомных весов для нескольких характерных групп элементов. Ньюлендс - существование групп элементов, сходных по химическим свойствам. Колчина Н. 11 «А». Периодический закон, Периодическая система химических элементов Д. И. Менделеева.
«Средства гигиены и косметики» - В качестве моющего средства. Действие второй группы дезодорантов основано на частичном подавлении процессов потовыделения. Для артистов Пудры Пероксид водорода. Значение слов. Косметические декоративные пудры – многокомпонентные смеси. Косметические средства. Выполнено: Шестериковой Светланой Ученицей 11 а класса ГОУ СОШ №186. Немного истории. I стадия. Функции моющего средства. Мыла и моющие средства.
«Серебро химия» - Азотнокислое серебро, или ляпис - кристаллы ромбической системы. Бородавка после прижигания нитратом серебра. Серебро в искусстве. AgNO3 очень хорошо растворимо. И какие опасности таит в себе загадочный металл? Образует сплавы со многими металлами. Большинство солей серебра слаборастворимы в воде, а все растворимые соединения – токсичны. Технологии получения чистого металлического серебра.
